电源抑制比,运放电源抑制比定义公式详解-KIA MOS管

电源抑制比(PSRR,Power Supply Rejection Ratio)，它描述了电路抑制任何电源变化传递到其输出信号的能力，通常以dB为单位进行测量，用来描述输出信号受电源影响。它最常与运算放大器(op amps)、DC-DC转换器、线性稳压器和低压差稳压器 (LDO) 的使用相关。

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www.kiaic.com/article/detail/6028.html         2025-11-11

源极漏极栅极详解,mos管源极漏极栅极区分-KIA MOS管

源极（S）：在符号中始终表现为两条导线的交叉点，负责为导电沟道提供载流子（电子或空穴），是电流的输入或输出端。漏极（D）：在符号中为单独引线的一侧，作为电流的输出端或输入端，与源极构成电流通路。栅极（G）：通常独立于交叉点，是控制极，用于接收外...

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www.kiaic.com/article/detail/6027.html         2025-11-11

ao3400场效应管参数,KIA3400场效应管代换-KIA MOS管

ao3400场效应管代换型号KIA3400漏极电流4.8A，漏源击穿电压30V，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作，减少开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、绿色环保，稳定可靠；适用于电源管理、开关控制、功率放大、高频...

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www.kiaic.com/article/detail/6026.html         2025-11-11

2906场效应管,整流mos,​60v130a,KNH2906B参数-KIA MOS管

KNH2906B场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；采用KIA半导体尖端技术制造，具有?快速开关响应、低导通电阻、低栅极电荷，尤其在雪崩击穿特性方面表现卓越；100% 经雪崩击穿测试、dv/dt能...

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www.kiaic.com/article/detail/6025.html         2025-11-10

pmos开关电路,电路图原理详解-KIA MOS管

电源从左侧正常输入时：当VCC有效时，PMOS的体二极管率先导通，随后S极的电压由先前的0V变成了（VCC-0.7），此时Vgs = 0 -（VCC-0.7）= -VCC+0.7。

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www.kiaic.com/article/detail/6024.html         2025-11-10

sot89,sot封装尺寸图,对照表-KIA MOS管

SOT-89是表面贴装晶体管封装形式之一，主要用于中功率场景。SOT-89封装尺寸规范：主体尺寸4.5mm（长）×2.45mm（宽）×1.55mm（高）引脚布局：3/5引脚配置，1.5mm标准间距。

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www.kiaic.com/article/detail/6023.html         2025-11-10

车载逆变器mos,500v20a,KNF7150A场效应管参数资料-KIA MOS管

KNF7150A?场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流20A，采用专有平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 0.24Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，高效低耗，稳定...

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www.kiaic.com/article/detail/6022.html         2025-11-07

手机充电电路,工作原理图详解-KIA MOS管

充电器从220V的交流电开始工作。一端通过一个4007型号的半波整流器，另一端则连接一个10欧姆的电阻，然后通过一个10微法拉的电容器进行滤波。这个10欧姆的电阻起到保护作用，如果充电器内部出现故障导致电流过大，这个电阻会被烧断，从而防止故障进一步扩大。

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www.kiaic.com/article/detail/6021.html         2025-11-07

二极管电平转换电路图,电路原理详解-KIA MOS管

当输入端3.3V为低电平时，D1导通，输出端1.8V为低电平，实现两端都为低电平。当输入端3.3V为高电平时，D1截止，输出端被R1上拉至1.8V，为高电平，实现两端都为高电平。

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www.kiaic.com/article/detail/6020.html         2025-11-07

电机控制mos,​250v50a场效应管,to220f封装,KNF3725A参数-KIA MOS管

KNF3725A场效应管漏源击穿电压250V，漏极电流50A，采用独家平面技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 45mΩ，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可以有效减少反向恢复时间，提高开关速度，稳定...

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www.kiaic.com/article/detail/6019.html         2025-11-06

to263封装尺寸图,to263封装和to252封装区别-KIA MOS管

TO263：尺寸约10.16mm×9.40mm×4.57mm，通常有5个引脚（3主2辅），支持复杂电路设计。

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www.kiaic.com/article/detail/6018.html         2025-11-06

电压跟随器原理,电压跟随器电路图分享-KIA MOS管

电压跟随器是一种电压增益为1的运算放大器电路。这意味着运算放大器不会对信号进行任何放大。之所以称为电压跟随器，是因为输出电压直接跟随输入电压，即输出电压与输入电压相同。

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www.kiaic.com/article/detail/6017.html         2025-11-06

7n65场效应管代换,650v7a,​KND4665B参数现货-KIA MOS管

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7n65场效应管代换型号KND4665B漏源击穿电压为650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及具备良好的导电性能；极低导通电阻RDS(开启) 1.1Ω，最大限度地减少导电损耗，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提高效率；符合ROHS标准、配备快速恢复体二极管，可...

www.kiaic.com/article/detail/6016.html         2025-11-05

sot23封装尺寸图,sot23和sot223的区别-KIA MOS管

SOT-23：仅有3个引脚，常用于三极管（1-基极，2-发射极，3-集电极）或MOS管（1-栅极，2-源极，3-漏极）。SOT-223：拥有4个引脚，多用于功率器件，可提供更好的散热和电路设计灵活性。

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www.kiaic.com/article/detail/6015.html         2025-11-05